CNRS Université de Montpellier

L'IES Institut d'Electronique et des Systèmes UMR5214

Bâtiment IES
Bâtiment 5 Campus St Priest

l’influence des paramètres mécaniques et électroniques sur l’efficacité de la résonance d’un wafer de Silicium encastré par effet photo-thermo-acoustique

 

 

 

Vous êtes cordialement invités à ma soutenance de thèse de CHAPUS Carine 30 juin 2010 - 10h30 en salle 25.01

Cette thèse a été effectués au sein des équipes MIRA et MITEA. Il s'agit d'un des axes transverse choisi par l'IES sur un domaine pluri disciplinaire qu'est la photo-thermo-acoustique. Résumé:
L’influence de l’épaisseur et de la durée de vie des porteurs sur l’efficacité de la mise en résonance d’une membrane clipsée de silicium excitée par effet photo-thermo-acoustique a été étudiée. Pour cela, nous avons modélisé les phénomènes physiques spécifiques aux semi conducteurs mis en jeu afin de connaître leur influence sur la vibration créée pour augmenter l’efficacité de la conversion photo-acoustique. Un modèle analytique du mode d’encastrement de la membrane a également été développé. Puis, un banc expérimental utilisant une diode laser pour l’excitation lumineuse et un vibromètre optique pour la détection des déplacements induits a été conçu pour obtenir la réponse en fréquence de membranes de différentes épaisseurs (de 100 à 3000µm) et durées de vie de porteurs (de 1 à 45µs). Ces essais ont montré un décalage vers les basses fréquences d’environ 1kHz de la fréquence du premier mode de résonance et une faible valeur du facteur de qualité de l’ordre de la dizaine dus au choix de l’encastrement par serrage des wafers de silicium à l’aide de joints toriques en nitrile dans l’air. Cette étude a permis de montrer que, dans nos conditions expérimentales, le facteur de qualité était optimal pour une valeur particulière de l’épaisseur de membrane de l’ordre de 350µm par l’effet combiné de la pression extérieure de l’air ambiant et des pertes dans ce type d’encastrement. L’augmentation de la durée de vie des porteurs n’a pas d’effet sur le facteur de qualité alors qu’il semble faire augmenter légèrement l’amplitude de la résonance. Rapporteurs: Mme FOURNIER Danièle, Professeur Emérite de l’Université Paris VI M. TOURNAT Vincent, CR CNRS à l’Université du Maine
"De l’influence des paramètres mécaniques et électroniques sur l’efficacité de la résonance d’un wafer de Silicium encastré par effet photo-thermo-acoustique" .

 

 

 

Evaluation du Débit de Filtration Glomérulaire par IRM

Soutenance de thèse de Chadi Massoud du lundi 12 juillet 2010

Salle SC001 au Polytech, RDC bâtiment 31, Université Montpellier 2.

Composition du jury :
Rapporteurs :
Jean-Michel Franconi, Univeristé Bordeaux 2,
Serge Akok, Université de Nantes,
Examinateurs :
Patrice Taourel, CHU Montpellier, UMI
Alexendre Vignaud, Siemens Healthcare, Saint Denis
Vladimir Lorman, LPTA, UM2
Jean Marie Bonny
Directeurs :
Christophe Goze Bac,
Michel Zanca

Résumé :
Cette étude cherche à évaluer le Débit de la Filtration Glomérulaire (DFG) dans le rein humain par IRM. L’estimation de ce paramètre quantitatif nécessite le suivi de la cinétique intrarénale de Gd après son injection en bolus. Pour atteindre cet objectif, nous avons développé sous IDEA Siemens une séquence SR-FLASH strictement pondérée en T1 capable de suivre en dynamique l’évolution du signal RMN après l’injection d’un bolus de produit de contraste. Cette séquence possède un codage de phase centré permettant de déterminer le contraste au début de la période d’acquisition de l’image. Nous avons également mis en oeuvre une séquence d’inversion IR-FLASH (avec codage de phase centré) permettant la mesure de la relaxation longitudinale en l’absence de produit de contraste, ce paramètre étant indispensable à la conversion de l’intensité du signal en concentration. Sachant que la relation entre l’intensité du signal RMN et la concentration de Gd n’est pas linéaire, nous avons proposé deux méthodes originales et malgré tout rapides et robustes pour convertir le signal RMN en concentration locale de Gd. Ceci nous a permis d’évaluer l’évolution de la concentration dans les deux reins et dans l’aorte au cours des premiers passages du produit. L’ajustement des ces mesures de concentration sur les équations décrivant une modélisation bicompartimentale de la fonction rénale a permis de calculer le DFG de chaque rein dans une population de cinq sujets possédant un fonctionnement rénal normal.

 

 

 

Piézorhéomètres pour la caractérisation large bande des propriétés viscoélastiques de matériaux au voisinage de la température ambiante

Soutenance de thèse Vivian CERESER CAMARA le vendredi 16 juillet à 10h
dans la salle de cours 25.01, RDC bâtiment 25,Université Montpellier 2

 

Résumé - Lien PDF

Nouvelles sources lasers à super réseau InAs/GaSb/InSb

 

 

 

Soutenu le Mardi 20 Juillet à 10h dans l’Amphithéâtre de Saint Priest par Alban GASSENQ

Résumé :

Ce travail de thèse porte sur le développement et l'étude de diodes laser moyen infrarouge dont la zone active est constituée d'un super réseau (SR) à très courte période InAs/GaSb/InSb élaboré par épitaxie par jets moléculaires. La gamme de longueur d'onde d'émission visée est 3 - 3,5 µm qui est très intéressante pour des applications d'analyse de gaz par spectroscopie optique mais pour laquelle il n'y a encore aucun composant performant. Nous avons tout d'abord étudié les propriétés optoélectroniques du SR InAs/GaSb/InSb. La structure de bandes a été modélisée dans une approche k-p. L'interface sans atome commun InAs/GaSb est simulée arbitrairement par une monocouche de InAsxSb1-x dont la composition varie avec les conditions de croissance et donc avec l'interface réelle. Un bon accord est obtenu entre le gap effectif calculé et l'énergie des spectres de photoluminescence. Une attention particulière a été portée à l'impact de l'insertion contrôlée d'InSb dans le SR. Le raccordement de bandes du SR avec le guide d'onde, capital pour fabriquer un laser, a aussi été étudié. Un premier dessin de zone active a été proposé pour atteindre l'objectif. Par la suite, les performances intrinsèques des diodes lasers à SR ont été calculées par l'intermédiaire de la modélisation du gain du SR. L'effet laser avec une densité de courant de seuil proche de 0,5 kA/cm² est théoriquement possible. Les lasers à SR InAs/GaSb/InSb ont alors été étudiés expérimentalement. Nous avons fait varier de nombreux paramètres : composition et épaisseur du SR, du guide d'onde et des couches de confinement, procédé technologique… Les résultats expérimentaux ont montré des comportements proches des modélisations effectuées. L'effet laser à la température ambiante a été obtenu avec une densité de courant de seuil de l'effet laser de 2 kA/cm² à 3,2 µm et de 1,8 kA/cm² à 3,1 µm. Des perspectives d'optimisation des composants sont proposées en conclusion.