Caractérisation de dispositifs MOS SOI et GeOI avancés par l’étude et la modélisation du bruit basse fréquence
Soutenance de thèse de Jason Gyani se déroulera le jeudi 25 novembre 2010 à 10h dans la salle de réunion du 4ième étage, bâtiment 21 du campus Triolet.
La thèse porte sur la caractérisation en bruit basse-fréquence des dispositifs MOS avancées SOI et GeOI avec empilement de grille à haute constante diélectrique. La première partie de ce travail rappelle les limites physiques et technologiques liées à la miniaturisation des composants et décrit les moyens mis en œuvre pour aller au-delà de ces limites. Nous effectuons ensuite une modélisation du bruit dans les MOSFET à diélectrique de grille à haute permittivité, puis une étude de l'impact des paramètres physiques liés aux spécificités de l'empilement de grille est réalisé, montrant dans quels limites il est possible d’utiliser des méthodes analytiques classique pour l’extraction de la densité de défauts dans les empilements de grille high-k. Un outil numérique basé sur le calcul de la transmission électronique à travers l'empilement est développé permettant une caractérisation des dispositifs dont les densités spectrales de bruit sont autres que du 1/f pur. Une méthode de caractérisation permettant de séparer la contribution en bruit des régions d'accès de celle du substrat est réalisée dans le but d'évaluer la qualité du substrat Ge dans les architectures GeOI. L’impact des processus technologiques MOS tels que le dopage du substrat et l’implantation des halos sur les performances en bruit et sur la mobilité du canal avant et arrière des dispositifs GeOI est étudié. L’impact de l’épaisseur du substrat Ge dans les dispositifs GeOI sur les mécanismes de bruit est également mis en évidence.
