Cette étude, publiée dans le journal Small, montre l'énorme potentiel de combiner les méthodes de dépôt physique et chimique pour intégrer des couches minces épitaxiées à base de BaTiO3-δ semiconducteur sur silicium. Cette stratégie de croissance se traduit par des nanostructures 1D épitaxiées de BaTiO3-δ /La0.7Sr0.3MnO3 /SrTiO3 /Si qui améliorent la réponse flexoélectrique du système. Elles permettent de contrôler la polarisation ferroélectrique et la conductivité locale (commutation résistive) de cet oxyde fonctionnel lors de l'application d’une force mécanique. Ces travaux fournissent une voie innovante vers la conception et l'intégration sur le silicium de dispositifs non volatils avec contrôle mécanoélectrique, qui pourrait trouver des applications dans le stockage de données et les capteurs.
Ces travaux de recherche sont le résultat d’une coopération entre l’IES-CNRS, l’INL-CNRS et l’ICMAB-CSIC.
Reference : Andrés Gómez, José Manuel Vila‐Fungueiriño, Rahma Moalla, Guillaume Saint‐Girons, Jaume Gázquez, María Varela, Romain Bachelet, Martí Gich, Francisco Rivadulla and Adrián Carretero‐Genevrier*. Electric and Mechanical Switching of Ferroelectric and Resistive States in Semiconducting BaTiO3–δ Films on Silicon. Small DOI: 10.1002/smll.201701614.
