L’objectif de cette thèse, réalisée dans le cadre du contrat européen Senshy, était la réalisation de diodes laser émettant dans le moyen infrarouge (de 3,0 à 3,4 µm). Ces diodes sont destinées à intégrer des détecteurs et des systèmes d’analyse de gaz basés sur le principe de la spectroscopie d’absorption (TDLAS) pour la détection des alcanes (méthane, éthane, propane) et des alcènes (acétylène). Les structures à puits quantiques de type I ont été réalisées par épitaxie par jets moléculaires sur GaSb.

Bien qu’ayant d’excellentes performances dans la gamme 2,0-3,0 µm, les lasers GaInAsSb/AlGaAsSb montrent rapidement leurs limites en franchissant la frontière des 3 µm (la longueur d’onde la plus haute atteinte avec un tel composant est de 3,04 µm en continu à 20°C). Cette situation était d’autant plus regrettable que plusieurs gaz ont leurs raies d’absorption au-delà de 3 µm : le méthane par exemple a un pic d’absorption à 3,26 µm 40 fois plus fort que celui à 2,31 µm. En remplaçant le quaternaire AlGaAsSb par le quinaire AlGaInAsSb, nous avons montré que l’on pouvait améliorer l’efficacité quantique interne et avons obtenu des densités de courant de seuil à 2,6, 3,0 et 3,3 µm qui pouvaient être comparées favorablement aux précédents records à ces longueurs d’onde (respectivement, 142 A/cm², 255 A/cm² et 827 A/cm²).
Les diodes laser DFB fabriquées à partir des structures epitaxiées ont permis d’atteindre l’émission laser à température ambiante en continu à 3,06 µm avec un caratère mono-fréquence (SMSR supérieur à 30 dB) et un courant de seuil de 54 mA. À 3,37 µm, les diodes DFB fonctionnent en continu jusqu’à 18°C avec un SMSR > 30dB et un courant de seuil de 140 mA. Finalement, ces diodes ont été intégrées dans un système d’analyse de gaz et ont permis d’atteindre une limite de concentration du méthane de 100 ppbv soit 18 fois moins que la concentration du méthane dans l’air ambiant.