soutenance de thèse de Myriam PORTIER

Elle aura lieu dans la salle des séminaires du Bâtiment 21, 4ème étage le jeudi 20 octobre 2011

 

Résumé de la Thèse :
Les ions lourds naturellement présents dans l'environnement radiatif spatial constituent une contrainte à prendre en compte pour l'électronique embarquée. Il a été observé que les ions lourds induisent des modifications structurelles nanométriques dans l'oxyde de nos structures élémentaires SiO2-Si représentatives des dispositifs MOS embarqués. Ces modifications structurelles jouent le rôle de défauts latents qui durant le fonctionnement du composant font claquer prématurément l'oxyde de grille des transistors MOS de puissance, réduisant ainsi leur durée de vie. A partir d'une étude statistique topographique de nos structures irradiées, nous cherchons à mettre en évidence les paramètres à prendre en compte pour mieux comprendre les mécanismes physiques à l'origine de la formation de ces défauts latents. C'est en connaissant les critères de formation des modifications structurelles qui peuvent jouer le rôle de défaut latent que nous pourrons faire état de la réalité à savoir quelle est leur probabilité de formation afin d'établir par la suite une bonne évaluation des risques liés à ces défauts.

 

Myriam PORTIER
Etudiant en Thèse - PhD. Student
Université Montpellier 2
Place Eugène Bataillon
Bâtiment 21 - CC 083
34095 Montpellier Cedex 5
e-mail: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.